Journal Title:Iet Circuits Devices & Systems
IET Circuits, Devices & Systems covers the following topics:
Circuit theory and design, circuit analysis and simulation, computer aided design
Filters (analogue and switched capacitor)
Circuit implementations, cells and architectures for integration including VLSI
Testability, fault tolerant design, minimisation of circuits and CAD for VLSI
Novel or improved electronic devices for both traditional and emerging technologies including nanoelectronics and MEMs
Device and process characterisation, device parameter extraction schemes
Mathematics of circuits and systems theory
Test and measurement techniques involving electronic circuits, circuits for industrial applications, sensors and transducers
IET 电路、设备和系统涵盖以下主题:
电路理论与设计、电路分析与仿真、计算机辅助设计
滤波器(模拟和开关电容器)
用于集成的电路实现、单元和架构,包括 VLSI
VLSI 的可测试性、容错设计、电路最小化和 CAD
用于传统和新兴技术(包括纳米电子学和 MEMS)的新型或改进型电子设备
设备和过程表征,设备参数提取方案
电路和系统理论的数学
涉及电子电路、工业应用电路、传感器和换能器的测试和测量技术
Iet Circuits Devices & Systems创刊于2007年,由WILEY出版商出版,收稿方向涵盖工程技术 - 工程:电子与电气全领域,此期刊水平偏中等偏靠后,在所属细分领域中专业影响力一般,过审相对较易,如果您文章质量佳,选择此期刊,发表机率较高。平均审稿速度较慢,6-12周,影响因子指数1.29,该期刊近期没有被列入国际期刊预警名单,广大学者值得一试。
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 3区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 | 4区 | 是 | 是 |
名词解释:
中科院分区也叫中科院JCR分区,基础版分为13个大类学科,然后按照各类期刊影响因子分别将每个类别分为四个区,影响因子5%为1区,6%-20%为2区,21%-50%为3区,其余为4区。
WOS分区等级 | JCR所属学科 | 分区 |
Q4 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | Q4 |
名词解释:
WOS即Web of Science,是全球获取学术信息的重要数据库,Web of Science包括自然科学、社会科学、艺术与人文领域的信息,来自全世界近9,000种最负盛名的高影响力研究期刊及12,000多种学术会议多学科内容。给期刊分区时会按照某一个学科领域划分,根据这一学科所有按照影响因子数值降序排名,然后平均分成4等份,期刊影响因子值高的就会在高分区中,最后的划分结果分别是Q1,Q2,Q3,Q4,Q1代表质量最高。
CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore排名 | ||||||||||||
3.60 | 0.336 | 0.827 |
|
名词解释:
CiteScore:衡量期刊所发表文献的平均受引用次数。
SJR:SCImago 期刊等级衡量经过加权后的期刊受引用次数。引用次数的加权值由施引期刊的学科领域和声望 (SJR) 决定。
SNIP:每篇文章中来源出版物的标准化影响将实际受引用情况对照期刊所属学科领域中预期的受引用情况进行衡量。
是否OA开放访问: | h-index: | 年文章数: |
开放 | 45 | 176 |
Gold OA文章占比: | 2021-2022最新影响因子(数据来源于搜索引擎): | 开源占比(OA被引用占比): |
27.76% | 1.3 | 0.23... |
研究类文章占比:文章 ÷(文章 + 综述) | 期刊收录: | 中科院《国际期刊预警名单(试行)》名单: |
96.88% | SCI、SCIE | 否 |
历年IF值(影响因子):
历年引文指标和发文量:
历年中科院JCR大类分区数据:
历年自引数据:
2019-2021国家/地区发文量统计:
国家/地区 | 数量 |
India | 169 |
CHINA MAINLAND | 68 |
Iran | 53 |
USA | 35 |
Canada | 22 |
Taiwan | 21 |
South Korea | 17 |
Turkey | 14 |
Egypt | 9 |
France | 9 |
近年引用统计:
期刊名称 | 数量 |
IEEE J SOLID-ST CIRC | 200 |
IEEE T ELECTRON DEV | 184 |
IEEE T CIRCUITS-I | 142 |
IEEE T CIRCUITS-II | 98 |
ELECTRON LETT | 92 |
IEEE T POWER ELECTR | 83 |
IET CIRC DEVICE SYST | 83 |
IEEE T VLSI SYST | 82 |
IEEE T COMPUT AID D | 53 |
IEEE T MICROW THEORY | 52 |
近年被引用统计:
期刊名称 | 数量 |
IET CIRC DEVICE SYST | 83 |
IEEE ACCESS | 43 |
J CIRCUIT SYST COMP | 35 |
MICROELECTRON J | 34 |
AEU-INT J ELECTRON C | 29 |
ANALOG INTEGR CIRC S | 22 |
CIRC SYST SIGNAL PR | 21 |
ELECTRONICS-SWITZ | 17 |
IEEE T ELECTRON DEV | 13 |
IEICE ELECTRON EXPR | 11 |
近年文章引用统计:
文章名称 | 数量 |
Novel CNFET ternary circuit tech... | 10 |
Novel CMOS MO-CFDITA based fully... | 7 |
Efficient designs of reversible ... | 7 |
Efficient design of coplanar rip... | 7 |
Widely tunable low-pass g(m) - C... | 6 |
Tuning approach for first-order ... | 6 |
Transmission gate-based 9T SRAM ... | 6 |
Fault-tolerant delay cell for ri... | 5 |
Light activation of noise at mic... | 5 |
Analytical modelling and paramet... | 5 |
同类学科的其他优质期刊 | 影响因子 | 中科院分区 |
Advances In Polymer Technology | 1.539 | 4区 |
Wind Energy | 2.646 | 3区 |
Ieee Journal On Emerging And Selected Topics In Circuits And Systems | 3.033 | 2区 |
Membrane And Water Treatment | 0.927 | 4区 |
Natural Hazards | 2.427 | 3区 |
Circuit World | 1.395 | 4区 |
Vehicle System Dynamics | 2.581 | 2区 |
Regenerative Therapy | 2.286 | 3区 |
3 Biotech | 1.798 | 4区 |
Journal Of Environmental Chemical Engineering | 4.300 | 2区 |
本站主要从事期刊咨询服务,不是任何杂志官网,不涉及任何出版事务、本站仅提供有限咨询服务,需要用户自己向出版商投搞且没有绿色通道,是否录用一切以出版商通知为准,本站提供的期刊信息均来源于国家新闻出版总署及网络,仅供参考,提及的第三方名称或商标,其知识产权均属于相应的出版商或期刊,本站与上述机构无从属关系,所有引用均出于解释服务内容的考量,符合商标法规范,本页信息均由法务团队进行把关,若期刊信息有任何问题,请联系我们,我们会认真核实处理。若用户需要出版服务,请联系出版商!
发表直通车,欢迎来到发表直通车
鲁ICP备2024070538号-2
鲁公网安备37152102000140