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Progress In Crystal Growth And Characterization Of Materials

  • ISSN:0960-8974
  • ESSN:1878-4208
  • 国际标准简称:PROG CRYST GROWTH CH
  • 出版地区:ENGLAND
  • 出版周期:Quarterly
  • 研究方向:材料科学 - 晶体学
  • 出版年份:1978
  • 语言:English
  • 是否OA:未开放
  • 学科领域

    材料科学
  • 中科院分区

    2区
  • JCR分区

    Q1
  • IF影响因子

    6.000
  • 是否预警

期刊简介

Journal Title:Progress In Crystal Growth And Characterization Of Materials

Materials especially crystalline materials provide the foundation of our modern technologically driven world. The domination of materials is achieved through detailed scientific research.

Advances in the techniques of growing and assessing ever more perfect crystals of a wide range of materials lie at the roots of much of today's advanced technology. The evolution and development of crystalline materials involves research by dedicated scientists in academia as well as industry involving a broad field of disciplines including biology, chemistry, physics, material sciences and engineering. Crucially important applications in information technology, photonics, energy storage and harvesting, environmental protection, medicine and food production require a deep understanding of and control of crystal growth. This can involve suitable growth methods and material characterization from the bulk down to the nano-scale.

中文简介

材料,尤其是结晶材料,为我们现代技术驱动的世界奠定了基础。材料的统治是通过细致的科学研究实现的。

生长和评估各种材料的更完美晶体的技术进步是当今许多先进技术的根源。晶体材料的演变和发展涉及学术界和工业界的专职科学家的研究,涉及广泛的学科领域,包括生物学、化学、物理学、材料科学和工程。信息技术、光子学、能量存储和收集、环境保护、医药和食品生产中的关键应用需要对晶体生长的深入理解和控制。这可能涉及到合适的生长方法和从体积到纳米尺度的材料表征。

期刊点评

Progress In Crystal Growth And Characterization Of Materials创刊于1978年,由PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD出版商出版,收稿方向涵盖工程技术 - 材料科学:表征与测试全领域,此刊是该细分领域中属于非常不错的SCI期刊,在行业细分领域中学术影响力较大,专业度认可很高,所以对原创文章要求创新性较高,如果您的文章质量很高,可以尝试。平均审稿速度>12周,或约稿,影响因子指数6,该期刊近期没有被列入国际期刊预警名单,广大学者值得一试。

中科院分区旧的升级版(数据版本:2020年12月旧的升级版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
材料科学 1区 CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 MATERIALS SCIENCE, CHARACTERIZATION & TESTING 材料科学:表征与测试 1区 1区

名词解释:
中科院分区也叫中科院JCR分区,基础版分为13个大类学科,然后按照各类期刊影响因子分别将每个类别分为四个区,影响因子5%为1区,6%-20%为2区,21%-50%为3区,其余为4区。

WOS分区(数据版本:2021-2022最新版)

WOS分区等级 JCR所属学科 分区
Q1 CRYSTALLOGRAPHY MATERIALS SCIENCE, CHARACTERIZATION & TESTING Q1 Q1

名词解释:
WOS即Web of Science,是全球获取学术信息的重要数据库,Web of Science包括自然科学、社会科学、艺术与人文领域的信息,来自全世界近9,000种最负盛名的高影响力研究期刊及12,000多种学术会议多学科内容。给期刊分区时会按照某一个学科领域划分,根据这一学科所有按照影响因子数值降序排名,然后平均分成4等份,期刊影响因子值高的就会在高分区中,最后的划分结果分别是Q1,Q2,Q3,Q4,Q1代表质量最高。

CiteScore分区(数据版本:2021-2022最新版)

CiteScore SJR SNIP CiteScore排名
6.90 0.921 1.838
学科 分区 排名 百分位
大类:Physics and Astronomy 小类:Condensed Matter Physics Q1 75 / 423

82%

大类:Physics and Astronomy 小类:General Materials Science Q1 111 / 453

75%

名词解释:
CiteScore:衡量期刊所发表文献的平均受引用次数。
SJR:SCImago 期刊等级衡量经过加权后的期刊受引用次数。引用次数的加权值由施引期刊的学科领域和声望 (SJR) 决定。
SNIP:每篇文章中来源出版物的标准化影响将实际受引用情况对照期刊所属学科领域中预期的受引用情况进行衡量。

其他数据

是否OA开放访问: h-index: 年文章数:
未开放 41 6
Gold OA文章占比: 2021-2022最新影响因子(数据来源于搜索引擎): 开源占比(OA被引用占比):
0.00% 5.1 0
研究类文章占比:文章 ÷(文章 + 综述) 期刊收录: 中科院《国际期刊预警名单(试行)》名单:
0.00% SCI、SCIE

历年IF值(影响因子):

历年引文指标和发文量:

历年中科院JCR大类分区数据:

历年自引数据:

发文统计

2019-2021国家/地区发文量统计:

国家/地区 数量
GERMANY (FED REP GER) 4
India 4
Russia 4
Italy 2
Japan 2
Poland 2
USA 2
Bulgaria 1
CHINA MAINLAND 1
Czech Republic 1

2019-2021机构发文量统计:

机构 数量
RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES 3
BAUMAN MOSCOW STATE TECHNICAL UN... 2
CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERC... 2
AIXTRON SE 1
ALFEROV UNIV 1
ARIZONA STATE UNIVERSITY 1
BHABHA ATOMIC RESEARCH CENTER (B... 1
BIRLA INSTITUTE OF TECHNOLOGY ME... 1
BULGARIAN ACADEMY OF SCIENCES 1
CZECH ACADEMY OF SCIENCES 1

近年引用统计:

期刊名称 数量
APPL PHYS LETT 37
J CRYST GROWTH 35
J APPL PHYS 25
PHYS REV B 19
J AM CHEM SOC 12
NANO LETT 12
NAT NANOTECHNOL 10
CHEM MATER 9
SCI REP-UK 9
SCIENCE 9

近年被引用统计:

期刊名称 数量
CRYST GROWTH DES 28
J CRYST GROWTH 26
CRYSTENGCOMM 24
CERAM INT 19
J APPL PHYS 19
MATER RES EXPRESS 19
J MATER SCI-MATER EL 18
CRYSTALS 17
J ALLOY COMPD 17
APPL PHYS LETT 16

近年文章引用统计:

文章名称 数量
Solution combustion synthesis, e... 36
Basic ammonothermal growth of Ga... 16
Sapphire shaped crystals for wav... 13
Surface modification and graftin... 9
Metalorganic vapor phase epitaxy... 8
Synthesis and characterization o... 6
FIBSIMS: A review of secondary i... 4
Metamorphic InAs(Sb)/InGaAs/InAl... 4
Design, growth and characterizat... 4
Growth and characterization of t... 1

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