Journal Title：Ieee Electron Device Letters
IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors.
IEEE Electron Device Letters 发表与电子和离子集成电路器件和互连的理论、建模、设计、性能和可靠性相关的原创和重要贡献，涉及绝缘体、金属、有机材料、微等离子体、半导体、量子效应结构、真空器件和新兴材料，在生物电子学、生物医学电子学、计算、通信、显示器、微机电、成像、微执行器、纳米电子学、光电子学、光伏、功率 IC 和微传感器等领域都有应用。
Ieee Electron Device Letters创刊于1980年，由IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC出版商出版，收稿方向涵盖工程技术 - 工程：电子与电气全领域，此刊是该细分领域中属于非常不错的SCI期刊，在行业细分领域中学术影响力较大，专业度认可很高，所以对原创文章要求创新性较高，如果您的文章质量很高，可以尝试。平均审稿速度约1.3个月，影响因子指数4.221，该期刊近期没有被列入国际期刊预警名单，广大学者值得一试。
| 大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
| 工程技术 | 2区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 | 2区 | 是 | 是 |
名词解释：
中科院分区也叫中科院JCR分区，基础版分为13个大类学科，然后按照各类期刊影响因子分别将每个类别分为四个区，影响因子5%为1区，6%-20%为2区，21%-50%为3区，其余为4区。
| WOS分区等级 | JCR所属学科 | 分区 |
| Q2 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | Q2 |
名词解释：
WOS即Web of Science，是全球获取学术信息的重要数据库，Web of Science包括自然科学、社会科学、艺术与人文领域的信息，来自全世界近9,000种最负盛名的高影响力研究期刊及12,000多种学术会议多学科内容。给期刊分区时会按照某一个学科领域划分，根据这一学科所有按照影响因子数值降序排名，然后平均分成4等份，期刊影响因子值高的就会在高分区中，最后的划分结果分别是Q1，Q2，Q3，Q4，Q1代表质量最高。
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore排名 | ||||||||||||
| 8.20 | 1.316 | 1.717 |
|
名词解释：
CiteScore：衡量期刊所发表文献的平均受引用次数。
SJR:SCImago 期刊等级衡量经过加权后的期刊受引用次数。引用次数的加权值由施引期刊的学科领域和声望 (SJR) 决定。
SNIP:每篇文章中来源出版物的标准化影响将实际受引用情况对照期刊所属学科领域中预期的受引用情况进行衡量。
| 是否OA开放访问： | h-index： | 年文章数： |
| 未开放 | 135 | 417 |
| Gold OA文章占比： | 2021-2022最新影响因子（数据来源于搜索引擎）: | 开源占比（OA被引用占比）： |
| 5.70% | 4.9 | 0.02... |
| 研究类文章占比：文章 ÷（文章 + 综述） | 期刊收录： | 中科院《国际期刊预警名单（试行）》名单： |
| 100.00% | SCI、SCIE | 否 |
历年IF值(影响因子)：
历年引文指标和发文量：
历年中科院JCR大类分区数据：
历年自引数据：
2019-2021国家/地区发文量统计：
| 国家/地区 | 数量 |
| CHINA MAINLAND | 577 |
| USA | 282 |
| South Korea | 174 |
| Taiwan | 123 |
| Japan | 65 |
| England | 60 |
| India | 49 |
| Belgium | 37 |
| GERMANY (FED REP GER) | 37 |
| France | 32 |
近年引用统计：
| 期刊名称 | 数量 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 1317 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 865 |
| APPL PHYS LETT | 812 |
| J APPL PHYS | 318 |
| ADV MATER | 217 |
| NANO LETT | 150 |
| ACS APPL MATER INTER | 142 |
| SCI REP-UK | 138 |
| NATURE | 132 |
| APPL PHYS EXPRESS | 119 |
近年被引用统计：
| 期刊名称 | 数量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 1587 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 1317 |
| JPN J APPL PHYS | 594 |
| APPL PHYS LETT | 460 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 445 |
| APPL PHYS EXPRESS | 366 |
| SEMICOND SCI TECH | 277 |
| J APPL PHYS | 268 |
| SOLID STATE ELECTRON | 257 |
| ECS J SOLID STATE SC | 249 |
近年文章引用统计：
| 文章名称 | 数量 |
| Enhancement-Mode Ga2O3 Vertical ... | 38 |
| An Artificial Neuron Based on a ... | 36 |
| Recessed-Gate Enhancement-Mode b... | 28 |
| Spin Logic Devices via Electric ... | 27 |
| Current Aperture Vertical beta-G... | 27 |
| beta-Ga2O3 Delta-Doped Field-Eff... | 26 |
| Vertical Ga2O3 Schottky Barrier ... | 24 |
| 1.85 kV Breakdown Voltage in Lat... | 24 |
| Vertical Ga(2)O(3 )Schottky Barr... | 23 |
| First Demonstration of a Logic-P... | 22 |
| 同类学科的其他优质期刊 | 影响因子 | 中科院分区 |
| Composites Part B-engineering | 7.635 | 1区 |
| Biotechnic & Histochemistry | 1.203 | 4区 |
| Iet Intelligent Transport Systems | 2.480 | 4区 |
| Trends In Biotechnology | 14.343 | 1区 |
| Spe Reservoir Evaluation & Engineering | 2.013 | 4区 |
| Journal Of Intelligent Manufacturing | 4.311 | 1区 |
| European Cells & Materials | 3.741 | 2区 |
| Biofuels-uk | 1.496 | 4区 |
| Applied Rheology | 0.878 | 4区 |
| Mechanical Sciences | 1.015 | 4区 |
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