Journal Title:Semiconductor Science And Technology
Devoted to semiconductor research, Semiconductor Science and Technology's multidisciplinary approach reflects the far-reaching nature of this topic.
The scope of the journal covers fundamental and applied experimental and theoretical studies of the properties of non-organic, organic and oxide semiconductors, their interfaces and devices, including:
fundamental properties
materials and nanostructures
devices and applications
fabrication and processing
new analytical techniques
simulation
emerging fields:
materials and devices for quantum technologies
hybrid structures and devices
2D and topological materials
metamaterials
semiconductors for energy
flexible electronics.
致力于半导体研究,Semiconductor Science and Technology 的多学科方法反映了这一主题的深远性质。
期刊的范围涵盖非有机、有机和氧化物半导体的特性、它们的界面和器件的基础和应用实验和理论研究,包括:
基本属性
材料和纳米结构
设备和应用程序
制造和加工
新的分析技术
模拟
新兴领域:
用于量子技术的材料和设备
混合结构和设备
二维和拓扑材料
超材料
用于能源的半导体
柔性电子产品。
Semiconductor Science And Technology创刊于1986年,由IOP PUBLISHING LTD出版商出版,收稿方向涵盖工程技术 - 材料科学:综合全领域,此期刊水平偏中等偏靠后,在所属细分领域中专业影响力一般,过审相对较易,如果您文章质量佳,选择此期刊,发表机率较高。平均审稿速度一般,3-6周,影响因子指数2.361,该期刊近期没有被列入国际期刊预警名单,广大学者值得一试。
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 3区 | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 | 3区 4区 4区 | 是 | 是 |
名词解释:
中科院分区也叫中科院JCR分区,基础版分为13个大类学科,然后按照各类期刊影响因子分别将每个类别分为四个区,影响因子5%为1区,6%-20%为2区,21%-50%为3区,其余为4区。
WOS分区等级 | JCR所属学科 | 分区 |
Q3 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY PHYSICS, CONDENSED MATTER | Q3 Q4 Q3 |
名词解释:
WOS即Web of Science,是全球获取学术信息的重要数据库,Web of Science包括自然科学、社会科学、艺术与人文领域的信息,来自全世界近9,000种最负盛名的高影响力研究期刊及12,000多种学术会议多学科内容。给期刊分区时会按照某一个学科领域划分,根据这一学科所有按照影响因子数值降序排名,然后平均分成4等份,期刊影响因子值高的就会在高分区中,最后的划分结果分别是Q1,Q2,Q3,Q4,Q1代表质量最高。
CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore排名 | ||||||||||||||||||||
3.90 | 0.419 | 0.717 |
|
名词解释:
CiteScore:衡量期刊所发表文献的平均受引用次数。
SJR:SCImago 期刊等级衡量经过加权后的期刊受引用次数。引用次数的加权值由施引期刊的学科领域和声望 (SJR) 决定。
SNIP:每篇文章中来源出版物的标准化影响将实际受引用情况对照期刊所属学科领域中预期的受引用情况进行衡量。
是否OA开放访问: | h-index: | 年文章数: |
未开放 | 99 | 392 |
Gold OA文章占比: | 2021-2022最新影响因子(数据来源于搜索引擎): | 开源占比(OA被引用占比): |
7.15% | 1.9 | 0.05... |
研究类文章占比:文章 ÷(文章 + 综述) | 期刊收录: | 中科院《国际期刊预警名单(试行)》名单: |
97.31% | SCIE、SCI | 否 |
历年IF值(影响因子):
历年引文指标和发文量:
历年中科院JCR大类分区数据:
历年自引数据:
2019-2021国家/地区发文量统计:
国家/地区 | 数量 |
CHINA MAINLAND | 257 |
USA | 139 |
India | 121 |
GERMANY (FED REP GER) | 95 |
South Korea | 90 |
England | 64 |
Japan | 64 |
France | 55 |
Russia | 52 |
Taiwan | 31 |
近年引用统计:
期刊名称 | 数量 |
APPL PHYS LETT | 1311 |
J APPL PHYS | 761 |
PHYS REV B | 700 |
IEEE T ELECTRON DEV | 412 |
PHYS REV LETT | 332 |
IEEE ELECTR DEVICE L | 277 |
SEMICOND SCI TECH | 276 |
NANO LETT | 236 |
THIN SOLID FILMS | 162 |
J CRYST GROWTH | 150 |
近年被引用统计:
期刊名称 | 数量 |
J APPL PHYS | 337 |
SEMICOND SCI TECH | 276 |
PHYS REV B | 205 |
MATER RES EXPRESS | 191 |
APPL PHYS LETT | 185 |
JPN J APPL PHYS | 169 |
IEEE T ELECTRON DEV | 145 |
SCI REP-UK | 134 |
APPL SURF SCI | 118 |
J MATER SCI-MATER EL | 118 |
近年文章引用统计:
文章名称 | 数量 |
beta-Ga2O3 for wide-bandgap elec... | 59 |
Phase-change materials for non-v... | 53 |
Metal oxide nanostructures for s... | 29 |
How to control defect formation ... | 28 |
Terahertz radiation detectors: t... | 21 |
Structural, electronic and phono... | 19 |
Wide-bandgap, low-bandgap, and t... | 18 |
Biaxial strain tuned electronic ... | 17 |
A comprehensive device modelling... | 15 |
The transport and optical sensin... | 15 |
同类学科的其他优质期刊 | 影响因子 | 中科院分区 |
Computers & Chemical Engineering | 4.000 | 2区 |
Progress In Aerospace Sciences | 8.940 | 1区 |
Frontiers Of Mechanical Engineering | 0.990 | 3区 |
Trends In Biotechnology | 14.343 | 1区 |
International Journal Of Micro Air Vehicles | 1.521 | 4区 |
Journal Of Aerospace Information Systems | 1.076 | 4区 |
Journal Of Industrial And Management Optimization | 1.370 | 4区 |
Revista Internacional De Metodos Numericos Para Calculo Y Diseno En Ingenieria | 0.338 | 4区 |
Archives Of Mining Sciences | 0.770 | 4区 |
Cognitive Neurodynamics | 3.925 | 2区 |
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