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Diabetologia SCIE,SCI

Solid-state Electronics

  • ISSN:0038-1101
  • ESSN:1879-2405
  • 国际标准简称:SOLID STATE ELECTRON
  • 出版地区:UNITED STATES
  • 出版周期:Monthly
  • 研究方向:物理与天体物理 - 工程:电子与电气
  • 出版年份:1960
  • 语言:English
  • 是否OA:未开放
  • 学科领域

    物理与天体物理
  • 中科院分区

    3区
  • JCR分区

    Q3
  • IF影响因子

    1.437
  • 是否预警

期刊简介

Journal Title:Solid-state Electronics

It is the aim of this journal to bring together in one publication outstanding papers reporting new and original work in the following areas: (1) applications of solid-state physics and technology to electronics and optoelectronics, including theory and device design; (2) optical, electrical, morphological characterization techniques and parameter extraction of devices; (3) fabrication of semiconductor devices, and also device-related materials growth, measurement and evaluation; (4) the physics and modeling of submicron and nanoscale microelectronic and optoelectronic devices, including processing, measurement, and performance evaluation; (5) applications of numerical methods to the modeling and simulation of solid-state devices and processes; and (6) nanoscale electronic and optoelectronic devices, photovoltaics, sensors, and MEMS based on semiconductor and alternative electronic materials; (7) synthesis and electrooptical properties of materials for novel devices.

中文简介

本刊旨在将优秀论文汇集在一份出版物中,报告以下领域的新原创工作:(1)固态物理和技术在电子和光电子学中的应用,包括理论和器件设计; (2) 器件的光学、电学、形态表征技术和参数提取; (3) 半导体器件的制造,以及器件相关材料的生长、测量和评估; (4) 亚微米和纳米级微电子和光电器件的物理和建模,包括处理、测量和性能评估; (5) 数值方法在固态器件和过程的建模和模拟中的应用; (6) 基于半导体和替代电子材料的纳米级电子和光电器件、光伏、传感器和 MEMS; (7)新型器件材料的合成及电光性能。

期刊点评

Solid-state Electronics创刊于1960年,由PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD出版商出版,收稿方向涵盖物理 - 工程:电子与电气全领域,此刊是中等级别的SCI期刊,所以过审相对来讲不是特别难,但是该刊专业认可度不错,仍然是一本值得选择的SCI期刊 。影响因子指数1.437,该期刊近期没有被列入国际期刊预警名单,广大学者值得一试。

中科院分区旧的升级版(数据版本:2020年12月旧的升级版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
物理与天体物理 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 4区 4区 4区

名词解释:
中科院分区也叫中科院JCR分区,基础版分为13个大类学科,然后按照各类期刊影响因子分别将每个类别分为四个区,影响因子5%为1区,6%-20%为2区,21%-50%为3区,其余为4区。

WOS分区(数据版本:2021-2022最新版)

WOS分区等级 JCR所属学科 分区
Q3 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC PHYSICS, APPLIED PHYSICS, CONDENSED MATTER Q3 Q3 Q3

名词解释:
WOS即Web of Science,是全球获取学术信息的重要数据库,Web of Science包括自然科学、社会科学、艺术与人文领域的信息,来自全世界近9,000种最负盛名的高影响力研究期刊及12,000多种学术会议多学科内容。给期刊分区时会按照某一个学科领域划分,根据这一学科所有按照影响因子数值降序排名,然后平均分成4等份,期刊影响因子值高的就会在高分区中,最后的划分结果分别是Q1,Q2,Q3,Q4,Q1代表质量最高。

CiteScore分区(数据版本:2021-2022最新版)

CiteScore SJR SNIP CiteScore排名
3.30 0.414 0.773
学科 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 369 / 738

50%

大类:Engineering 小类:Condensed Matter Physics Q3 219 / 423

48%

大类:Engineering 小类:Materials Chemistry Q3 164 / 306

46%

大类:Engineering 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 155 / 271

42%

名词解释:
CiteScore:衡量期刊所发表文献的平均受引用次数。
SJR:SCImago 期刊等级衡量经过加权后的期刊受引用次数。引用次数的加权值由施引期刊的学科领域和声望 (SJR) 决定。
SNIP:每篇文章中来源出版物的标准化影响将实际受引用情况对照期刊所属学科领域中预期的受引用情况进行衡量。

其他数据

是否OA开放访问: h-index: 年文章数:
未开放 87 159
Gold OA文章占比: 2021-2022最新影响因子(数据来源于搜索引擎): 开源占比(OA被引用占比):
8.03% 1.7 0.03...
研究类文章占比:文章 ÷(文章 + 综述) 期刊收录: 中科院《国际期刊预警名单(试行)》名单:
99.61% SCIE、SCI

历年IF值(影响因子):

历年引文指标和发文量:

历年中科院JCR大类分区数据:

历年自引数据:

发文统计

2019-2021国家/地区发文量统计:

国家/地区 数量
South Korea 131
CHINA MAINLAND 104
France 76
USA 53
GERMANY (FED REP GER) 36
India 24
Spain 21
England 17
Belgium 16
Japan 16

近年引用统计:

期刊名称 数量
IEEE T ELECTRON DEV 431
IEEE ELECTR DEVICE L 257
APPL PHYS LETT 248
SOLID STATE ELECTRON 207
J APPL PHYS 136
PHYS REV B 106
NATURE 58
SEMICOND SCI TECH 52
PHYS REV LETT 47
THIN SOLID FILMS 43

近年被引用统计:

期刊名称 数量
IEEE T ELECTRON DEV 384
SOLID STATE ELECTRON 207
J APPL PHYS 199
JPN J APPL PHYS 150
SEMICOND SCI TECH 123
J MATER SCI-MATER EL 111
IEEE J ELECTRON DEVI 105
IEEE ELECTR DEVICE L 96
APPL PHYS LETT 93
MATER RES EXPRESS 84

近年文章引用统计:

文章名称 数量
Lightweight flexible indium-free... 21
The photovoltaic impact of atomi... 12
Current-voltage analytical model... 11
Low-voltage electric-double-laye... 11
Effect of defect creation and mi... 11
Characterization and modeling of... 10
Improve the performance of CZTSS... 10
A review on terahertz photogalva... 8
Multi-layer WSe2 field effect tr... 8
SnO2 nanoparticles/TiO2 nanofibe... 7

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